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更新時間：2026-01-09 
瀏覽次數：311. 核心概念：什么是“純臭氧發生裝置"？
這是一種革新性的臭氧生成技術。與傳統方法不同，該裝置通過將臭氧液化并蓄積，能夠提供不含重金屬雜質的高純度臭氧氣體。
核心用途：主要作為半導體工藝（如原子層沉積 ALD、分子束外延 MBE）中的氧化源。在制造高精度芯片時，需要極純凈的氧化劑來形成高質量的薄膜。
技術突破：它是世界上首的個能夠保證生成80%以上高濃度臭氧氣體并實現安全連續供給的裝置。
安全機制：
故障安全系統：在停電或異常情況下，通過溫度/壓力控制確保安全。
緊急吹掃機構：停電時自動啟動，防止設備損壞或氣體泄漏。
國際認證：部分機型符合 SEMI-S2、UL、NFPA、CE 等國際安全標準。
該裝置能夠提供極其穩定的高濃度臭氧輸出，具體參數如下表所示：
| 參數項目 | 關鍵數值/范圍 |
|---|---|
| 臭氧濃度 | 80% 以上 (保證值) |
| 最的大蓄積量 | 16,000 cc (單批次) |
| 供氣壓力 | 1,000 ~ 9,000 Pa |
| 氣體流量控制 | 20 ~ 150 sccm (標準立方厘米/分鐘) |
根據用戶的使用目的（研發、試產、量產），該頁面列出了三種不同的設備類型。這些設備的主要區別在于連續工作能力和自動化程度。
批次式 (Batch Type)
適用場景：研發 (R&D)。
特點：成本較低，適合預算有限的研發用途。
限制：每周需要進行一次“再生"操作（維護/清理），無法實現全天候連續運行。
準連續式 (Semi-Continuous Type)
適用場景：準量產（試生產）。
特點：在“蓄積"和“供給"之間循環。
限制：同樣需要每周進行一次再生操作，無法做到完的全不間斷。
連續供給式 (Continuous Supply Type)
適用場景：大規模量產。
特點：真正的24小時 x 365天連續供氣。它在“蓄積"、“供給"和“再生"三個過程之間無縫切換，無需停機，是工業量產的理想選擇。
該裝置已被廣泛應用于半導體制造和精密光學領域，目前全的球已有約 80臺 的安裝實績（截至2024年）：
原子層沉積 (ALD)：
作為氧化源連接 ALD 設備。
優勢：低溫處理、覆蓋性好（能均勻覆蓋復雜結構）、運行成本低。
分子束外延 (MBE)：
用于尖的端半導體器件的研究制造。
優勢：極低雜質、可長時間穩定供應微量高濃度臭氧（10 sccm~）。
電子束繪圖裝置：
用途：用于裝置內部的原位（In-Situ）清洗。
優勢：無等離子體（Plasma-free），設備壽命長。
這個頁面展示的是一款針對高的端半導體制造的特種氣體設備。其核心價值在于解決了傳統臭氧發生技術中濃度低、雜質多、無法連續運行的痛點，通過液化蓄積技術實現了80%以上超高純度和工業級連續穩定性，是先的進制程中不的可的或的缺的氧化源解決方案。
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