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產品型號：TMS-2000
更新時間：2026-04-11簡要描述：Santec 晶圓幾何參數測量系統 厚度測量儀 TMS-2000 TMS-2000以非接觸方式測量晶圓的的厚度分布，可以測量精度為1nm的平整度。 當在涉及極的端的溫度變化和振動的不穩定環境中使用時，傳統的晶圓厚度映射技術難以解決精度問題，而TMS-2000具有高的環境穩定性。由于其高速測量能力和緊湊的尺寸，TMS-2000可用于涉及在線檢測的各種工業領域。
| 品牌 | 其他品牌 | 測量原理 | 光學相干斷層掃描 (OCT) / 干涉探測技術 |
|---|---|---|---|
| 厚度重復性 | 1nm (高精度測量) | 掃描方式 | 螺旋掃描 (高速、高密度) |
| 測量對象 | 硅(Si)、碳化硅(SiC)、鈮酸鋰(LiNbO3)、SOI、MEMS等 | 材料適應性 | 具備偏振效應補償 (針對雙折射/低反射材料) |
| 薄膜厚度測量范圍 | 最薄可測 4μm 的薄膜 | 翹曲測量形貌分析 | 可測量毫米級翹曲晶圓的平面內形貌 |
| 行業標準 | 符合 SEMI 標準 (GFLR, SFQR, ESFQR 等) |
Santec 晶圓幾何參數測量系統 厚度測量儀 TMS-2000
Santec 晶圓幾何參數測量系統 厚度測量儀 TMS-2000
在半導體制造中，晶圓的厚度與平整度（如GBIR, SBIR, ESFQR等參數）直接決定了芯片的良率。然而，傳統的晶圓厚度映射技術往往局限于實驗室環境，一旦面對工廠現場的極的端的溫度波動或機械振動，測量精度便難以維持。Santec TMS-2000 晶圓測量系統正是為解決這一痛點而生，它不僅擁有0.1nm的超高分辨率，更憑借其獨特的“高耐環境性"設計，讓實驗室級別的精度走進了工業生產線。
一、 核心技術：非接觸干涉探測與 0.1nm 分辨率
TMS-2000 采用基于光學干涉原理的非接觸式探測技術。這種技術避免了物理接觸對晶圓表面造成的潛在損傷，同時確保了測量的極的高的靈敏度。
極的致的精度：系統具備 0.1nm 的厚度顯示分辨率，測量重復精度（1σ）典型值優于 1nm（最大 ≤3nm）。這意味著它能敏銳捕捉到晶圓表面哪怕是亞納米級的微小起伏，為工藝調整提供最的可靠的數據支撐。
寬廣測量范圍：針對硅（Si）材料（折射率 n=3.5），其測量厚度范圍覆蓋 15μm 至 1400μm，完的美的適應從超薄晶圓到常規厚度晶圓的多樣化檢測需求。
二、 獨特優勢：高耐環境性（專的利的申請中）
文檔中特別強調，TMS-2000 具有高耐環境性（High Environmental Stability）。
與傳統設備不同，TMS-2000 通過獨特的結構設計（專的利的申請中），有效隔離了外界干擾。即使在涉及極的端的溫度變化和振動的“不穩定環境"下，它依然能保持核心光學元件的穩定性，確保測量數據不受環境噪音影響。這一特性使其從單純的實驗室設備，轉變為適用于在線檢測的工業級解決方案。三、 高效作業：螺旋掃描與 12 英寸全自動適配
在追求精度的同時，TMS-2000 也兼顧了生產效率：
高速測量：采用獨特的螺旋掃描技術（直徑間距 2mm，周長間距 ≤0.5mm），結合可切換的線掃描模式，單片晶圓的測量時間僅需 0.5 至 2 分鐘，極大地提升了檢測吞吐量。
全自動操作：設備配備 12 英寸晶圓工作臺，具備自動缺口檢測與中心定位功能，配合獨特的數據采集軟件，可實現從加載到數據輸出的全流程自動化。
四、 符合 SEMI 標準的深度數據分析
TMS-2000 的軟件系統不僅能進行基礎的厚度測量，還能進行符合 SEMI 標準的深度平整度分析，包括：
全局平整度 (GBIR, GFLD, GFLR)
局部平整度 (SBIR, SFQD, SFQR)
邊緣平整度 (ESFQR)
此外，系統支持指定 2 片晶圓的厚度差異分析，這一功能對于監測化學機械拋光（CMP）過程中的去除率（Removal Rate）具有極的高的實用價值。
結語
Santec TMS-2000 憑借其 0.1nm 分辨率與高環境穩定性，重新定義了工業現場的晶圓測量標準。它不僅是一臺測量儀器，更是連接精密實驗室數據與大規模工業生產的橋梁。
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